特許
J-GLOBAL ID：200903063349361857
X線マスクの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-187631
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036591
出願日： 1991年07月26日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 リフトオフ法によるX線吸収体薄膜パタ-ンの形成に際し、マスクを薄く形成し、高精度のX線吸収体薄膜パターンを形成する。【構成】 X線吸収体パターンをリフトオフ法で形成するためのエッチングマスクとしてCr、Cr合金またはCr化合物を用いる。あるいは、Ni、Ni合金またはNi化合物からなるマスクを形成するに際し、酸性溶液を用いた液相エッチング法を用いる。あるいは、Cr、Cr合金またはCr化合物を用い、かつX線吸収体パターン形成後、硝酸第2セリウムアンモニウムを含む溶液で洗浄する。あるいは、炭素膜、グラファイト膜、ダイヤモンドライクカーボン膜あるいはダイヤモンド膜を、エッチングのためのマスク材料として用いる。
請求項（抜粋）：
マスク支持体上にX線透過性薄膜を形成するX線透過性薄膜形成工程と、前記X線透過性薄膜上にCr、Cr合金またはCr化合物からなるマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と、この上層にX線吸収体薄膜を形成するX線吸収体薄膜形成工程と、前記マスクパターンをエッチング除去することにより、前記マスクパターン上の前記X線吸収体薄膜を除去し、前記X線吸収体薄膜を所望の形状にパタ-ニングするリフトオフ工程とを含むことを特徴とするX線マスクの製造方法。
IPC (2件)：
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