特許

J-GLOBAL ID：200903063351253883

半導体素子およびその製造方法、太陽電池およびその製造方法ならびに半導体素子を用いた光学素子

発明者： 山内 一志
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 大石 皓一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-032818
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217443
出願日： 2000年02月04日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：

【要約】【課題】 半導体薄膜が、半導体基板から剥離され、基板に転写されて製造され、低温から高温までの温度条件下でも、取り扱いに支障がなく、低コストで製造することのできる半導体素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体薄膜3、4、5が、接着層15を介して、インバー型合金基板14に形成された半導体素子。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの半導体薄膜が、接着層を介して、インバー型合金基板に形成されたことを特徴とする半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/146 ,  H01S 5/18

FI (5件)：

H01L 21/02 B ,  H01S 5/18 ,  H01L 31/04 X ,  H01L 27/14 C ,  H01L 31/04 H

Fターム (21件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118CB06 ,  4M118EA01 ,  4M118EA05 ,  4M118GD20 ,  4M118HA24 ,  4M118HA27 ,  5F051AA03 ,  5F051CB12 ,  5F051CB30 ,  5F051DA03 ,  5F051GA02 ,  5F051GA20 ,  5F051HA07 ,  5F073AB16 ,  5F073CA24 ,  5F073EA29 ,  5F073FA15 ,  5F073FA22