特許

J-GLOBAL ID：200903063353901408

半導体装置及びその製造方法

発明者： 小山 竜二 ,  松井 正宏
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-105591
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306806
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【目的】 表面を半導体化した強誘電体薄膜を用いて、安定に動作する半導体装置を提供する。【構成】 強誘電体薄膜14と、前記強誘電体薄膜の第1表面に接して設けられるゲート電極13と、前記強誘電体薄膜の第2表面15に接して間隔をおいて設けられるソース/ドレイン電極16とを備えた半導体素子において、前記強誘電体薄膜の第2表面15が半導体化されていることを特徴とする半導体装置。

請求項（抜粋）：

強誘電体薄膜と、前記強誘電体薄膜の第1表面に接して設けられるゲート電極と、前記強誘電体薄膜の第2表面に接して間隔をおいて設けられる2つのソース/ドレイン電極とを備えた半導体素子において、前記強誘電体薄膜の第2表面が半導体化されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/10 451

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 451