特許
J-GLOBAL ID：200903063362866453
タンデム型薄膜光電変換装置とその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-100665
公開番号（公開出願番号）：特開2003-298089
出願日： 2002年04月02日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：
【要約】【課題】 非晶質光電変換ユニット層と結晶質光電変換ユニット層の間に中間反射層を含むハイブリッド薄膜光電変換装置の出力特性を改善する。【解決手段】 透明絶縁基板上に順次積層された透明電極層、少なくとも1つの非晶質シリコン系光電変換ユニット、部分的に光を反射しかつ透過する導電性の中間反射層、少なくとも1つの結晶質シリコン系光電変換ユニット、および裏面金属電極層を含み、前記非晶質シリコン系光電変換ユニットの各々がp型層、非晶質i型光電変換層、およびn型層を含み、前記中間反射層上に中間反射層に接して形成された結晶質シリコン系光電変換ユニットが順次堆積されたn型層、p型層、結晶質i型光電変換層、およびn型層を含むことを特徴とするタンデム型薄膜光電変換装置。
請求項（抜粋）：
光電変換ユニットの上に部分的に光を反射しかつ透過する導電性の中間反射層を有し、更にその上に結晶質シリコン系光電変換ユニットが形成された構成を有するタンデム型薄膜光電変換装置において、前記中間反射層の上に形成された結晶質シリコン系光電変換ユニットが、順次堆積されたn型層、p型層、結晶質i型光電変換層、およびn型層を含んでいることを特徴とするタンデム型薄膜光電変換装置。
FI (2件)：
H01L 31/04 Y
, H01L 31/04 W
5F051AA02
, 5F051AA05
, 5F051DA04
, 5F051DA18
, 5F051EA10
, 5F051EA11
, 5F051EA16
, 5F051FA03
, 5F051FA04
, 5F051FA06
, 5F051FA13
, 5F051FA15
, 5F051GA03
