特許
J-GLOBAL ID:200903063366113042

シリカ被覆炭素生成物の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 石田 敬 (外4名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-561264
公開番号(公開出願番号):特表2002-532572
出願日: 1999年07月22日
公開日(公表日): 2002年10月02日
要約:
【要約】シリカ被覆炭素生成物の製造方法がされている。1つの方法において、水性媒体もしくは溶液および炭素生成物が、金属イオンを実質的に含有しないケイ酸塩を含む溶液と、シリカ被覆炭素生成物を形成するのに十分な時間および温度で接触される。水性媒体および炭素生成物をモノケイ酸を含有する溶液と接触することによりシリカ被覆生成物を製造する方法も、金属ケイ酸塩を含有する溶液中の金属イオンを水素イオンと交換し、シリカ被覆炭素生成物を形成するために水性媒体および炭素生成物を、その溶液と接触させることと同様に記載されている。これらの方法から得られるシリカ被覆炭素生成物も記載され、多くのシリカ被覆生成物を含み、各シリカ被覆生成物は、シリカで実質的に均一に被覆され、遊離シリカが実質的にない。さらに、シリカ被覆炭素生成物を含有するエラストマー組成物等も記載されている。
請求項(抜粋):
十分な時間および温度で、水性媒体および炭素生成物を、シリカ被覆炭素生成物を形成するために、ケイ酸塩を含む溶液と接触させることを含み、該溶液は実質的に金属イオンを含まないことを特徴とするシリカ被覆炭素生成物の製造方法。
IPC (6件):
C09C 1/44 ,  C01B 31/04 101 ,  C09C 1/46 ,  C09C 1/48 ,  C09C 3/06 ,  B60C 1/00
FI (6件):
C09C 1/44 ,  C01B 31/04 101 B ,  C09C 1/46 ,  C09C 1/48 ,  C09C 3/06 ,  B60C 1/00 A
Fターム (21件):
4G046EA04 ,  4G046EB06 ,  4G046EB13 ,  4G046EC02 ,  4G046EC05 ,  4J037AA01 ,  4J037AA02 ,  4J037AA04 ,  4J037AA08 ,  4J037AA17 ,  4J037AA18 ,  4J037AA30 ,  4J037CA24 ,  4J037DD01 ,  4J037DD24 ,  4J037DD30 ,  4J037EE03 ,  4J037EE17 ,  4J037EE43 ,  4J037EE46 ,  4J037EE47
引用特許:
審査官引用 (1件)

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