特許
J-GLOBAL ID：200903063372827740
荷電ビーム描画方法及び描画装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-157150
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318077
出願日： 1997年01月31日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：
【要約】【課題】 近似解の方法と同程度のオーダの計算スピードで、行列法にせまる正確さの実用的精度を与える。【解決手段】 試料上に電子ビームを照射して所望パターンを描画するに先立ち、描画すべきパターン内の各位置毎に最適照射量を求め、この最適照射量で各パターンを描画する電子ビーム描画方法において、(ア)試料に対する近似的最適照射量を求め、(イ)前の工程までで求められた近似的最適照射量(x,y)で露光した際に生じる感光量の誤差に、場所によって変動する後方散乱電子による露光量U(x,y)を含む調整係数をかけ、これを近似的最適照射量に対する修正量di とし、先の近似的最適照射量に加えたものを新たな近似的最適照射量とし、(ウ)(イ)の工程を近似的最適照射量が収束するまで繰返す。
請求項（抜粋）：
描画図形データをストライプ単位で処理し、試料上に荷電ビームを照射して所望パターンを描画する荷電ビーム描画方法において、任意のストライプの両端に、隣り合うストライプの図形パターンを荷電ビームの後方散乱の広がりより広い領域分だけ付けて新たな図形データを作成する工程と、作成された新たな図形データに対して近接効果補正計算を施して、最適照射量を計算する工程と、計算された最適照射量を基に対応するストライプを描画する工程とを含み、前記ストライプの描画と同時に、それ以降のストライプに関する新たな図形データの作成及び最適照射量の計算を行うことを特徴とする荷電ビーム描画方法。
Fターム (10件)：
5F056AA03
, 5F056AA20
, 5F056CA02
, 5F056CA22
, 5F056CC12
, 5F056CC13
, 5F056CD03
, 5F056CD06
, 5F056CD13
, 5F056CD15
