特許

J-GLOBAL ID：200903063374770109

薄膜形成方法及びその装置

発明者： 山田 鈴弥 ,  岡田 拓也 ,  和田 徹也
出願人/特許権者： 電気化学工業株式会社
代理人 (1件)： 豊田 善雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-201549
公開番号（公開出願番号）：特開平8-049072
出願日： 1994年08月04日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：

【要約】【目的】 スパッタリングを利用したCNx 、BNx の成膜において、β-C3N4 や立方晶BNの化学量論比に近い薄膜、機能の発現に充分な量のNを含んだアモルファスCNx やアモルファスBNx の形成、更には微細組織、結晶相の制御を可能にする。【構成】 高周波スパッタリング粒子と、別途プラズマ励起した反応性ガスを合流させて基板面への成膜を行う。

請求項（抜粋）：

高周波又はDCプラズマによりターゲットからスパッタリングした粒子を基板付近の析出場に供給すると共に、別途プラズマ励起した反応性ガスを析出場に供給し、両者を合流させて基板面への成膜を行うことを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (4件)：

C23C 14/38 ,  C01B 21/064 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/40