特許
J-GLOBAL ID：200903063375120370
磁気抵抗効果素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-155821
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004013
出願日： 1996年06月17日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：
【要約】【課題】 室温において高い抵抗変化率および大きな反転磁界を得ることを可能とする。【解決手段】 磁気抵抗効果素子は、ガラスあるいはSiからなる基板1上に、Coからなる自由磁化層2と、Cuからなる非磁性層3と、Coからなる固定磁化層4と、室温で保磁力の高い強磁性であるCo酸化膜5とがこの順に積層されて形成される。強磁性のCo酸化膜5が固定磁化層4に接していることにより、室温において固定磁化層4と自由磁化層2と間の保磁力の差が大きくなる。
請求項（抜粋）：
外部磁界に応じて磁化方向が回転する第1の磁性層と、非磁性層と、磁化方向が一方向に固定される第2の磁性層とがこの順に配置され、第1の磁性層と第2の磁性層との磁化の向きのなす角によって磁気抵抗効果をもつ磁気抵抗効果薄膜を備えた磁気抵抗効果素子において、上記磁気抵抗効果薄膜の第2の磁性層に接して強磁性の酸化コバルト層が設けられることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (4件)：
H01F 10/16
, G11B 5/39
, H01F 41/18
, H01L 43/08
H01F 10/16
, G11B 5/39
, H01F 41/18
, H01L 43/08 Z
