特許
J-GLOBAL ID：200903063376367603
窒化物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
政木 良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-056916
公開番号（公開出願番号）：特開2006-245162
出願日： 2005年03月02日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：
【課題】 活性層のバンドギャップエネルギがAlN組成比20%のAlGaNと同等以上となる短波長発光可能なPIN接合構造のGaN系窒化物半導体多層膜を備えた窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 GaN系窒化物半導体からなるp型クラッド層21と活性層23と活性層23より高バンドギャップエネルギのn型クラッド層25を含むPIN型接合構造のGaN系窒化物半導体多層膜20を備え、活性層23が、AlN組成比20%以上のi型AlGaNまたは同等のバンドギャップエネルギを有するi型AlGaInNまたはi型の超格子構造多層膜であり、n型クラッド層25の活性層23とは反対側の全面または一部に、AlN組成比20%以下のn型AlGaNまたは同等のバンドギャップエネルギを有するn型AlGaInNからなる膜厚50nm以下のn型コンタクト層26を備えてなり、発光した光がn型クラッド層25側から出射する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
一般式AlxGayIn1-x-yNで表されるGaN系窒化物半導体からなるp型クラッド層と活性層と前記活性層より高バンドギャップエネルギのn型クラッド層を含むPIN型接合構造の発光機能を有するGaN系窒化物半導体多層膜を備え、
前記活性層が、AlN組成比20%以上のi型AlGaNまたは同等のバンドギャップエネルギを有するi型AlGaInNまたはi型の超格子構造多層膜であり、
前記n型クラッド層の前記活性層とは反対側の全面または一部に、AlN組成比20%以下のn型AlGaNまたは同等のバンドギャップエネルギを有するn型AlGaInNからなる膜厚50nm以下のn型コンタクト層を備えてなり、
発光した光が前記n型クラッド層側から出射することを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L33/00 C
, H01L21/28 301B
, H01L21/28 301R
4M104AA04
, 4M104BB02
, 4M104BB05
, 4M104BB07
, 4M104BB14
, 4M104CC01
, 4M104FF03
, 4M104FF06
, 4M104FF13
, 4M104GG04
, 5F041AA11
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA74
