特許
J-GLOBAL ID：200903063377719600
縦型MOSFETの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-325211
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150877
出願日： 1998年11月16日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 U溝の側壁近傍に形成されるチャネル領域の不純物濃度を正確に制御することで、しきい値電圧特性が改善された縦型MOSFETを提供する。【解決手段】 半導体基板1中にベース領域7及びソース領域8を形成し(第1ステップ)、基板1上にパッド酸化膜2および窒化膜3を形成し、パターニングし(第2ステップ)、これらをマスクとし、基板1を選択的にエッチングしてトレンチ4を形成し(第3ステップ)、トレンチ側面に斜め方向から選択的に不純物イオンを注入し(第4ステップ)、さらにトレンチ4の側面にフィールド酸化膜5を形成する(第5ステップ)。トレンチ4の側面に不純物イオンを斜め注入するので不純物濃度を正確に制御でき、その後形成されるU溝6近傍の縦型MOSFETのチャネル9の不純物濃度が均一となる。さらに、第1ステップを第3ステップの前、または後に行ういずれの場合にも不純物濃度が均一なチャネルが得られる。
請求項（抜粋）：
半導体基板中にベース領域及びソース領域を形成する第1ステップ、 前記半導体基板上にパッド酸化膜および窒化膜を形成し、該パッド酸化膜及び窒化膜をパターニングする第2ステップ、前記パッド酸化膜及び窒化膜をマスクとし、前記半導体基板を選択的にエッチングしてトレンチを形成する第3ステップ、前記トレンチの側面に斜め方向から選択的に不純物イオンを注入する第4ステップ、及び前記トレンチの側面にフィールド酸化膜を形成する第5ステップを有することを特徴とする縦型MOSFETの製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 652 K
, H01L 29/78 658 A
