特許

J-GLOBAL ID：200903063378718829

固体撮像装置および固体撮像装置応用システム

発明者： 山下 浩史 ,  井原 久典 ,  山口 鉄也 ,  井上 郁子 ,  野崎 秀俊
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-203817
公開番号（公開出願番号）：特開平10-308507
出願日： 1997年07月14日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：

【要約】【課題】素子分離領域近辺の結晶不整合が空乏化することにより発生するリーク電流によって再生画像を著しく劣化させないこと。【解決手段】半導体基板21上で、フォトダイオード等の光電変換部の周囲にある素子間分離絶縁層23付近に存在するシリコン基板の結晶不整合26と、フォトダイオードのpn接合空乏層25とが重ならないように、pn接合面を形成する。上記素子間分離絶縁層23の下方でn型領域22が形成されていない部分には、素子分離のためのp+領域24を形成する。上記光電変換部の基板表面からのn型領域22の深さは、光電変換部の基板表面からの素子間分離絶縁層23の深さよりも深く形成する。

請求項（抜粋）：

少なくとも第1導電型の半導体基板上に形成された第1導電型と第2導電型の接合部より成る光電変換部と、この光電変換部と信号走査回路間に配された素子間分離絶縁層とを備えた固体撮像装置に於いて、上記光電変換部を形成する信号電荷と同じ第2導電型の拡散層領域の光電変換部基板表面からの接合深さは、上記光電変換部基板表面からの素子間分離絶縁層の絶縁層深さよりも大きいことを特徴とする固体撮像装置。

IPC (4件)：

H01L 27/146 ,  H01L 27/14 ,  H04N 1/028 ,  H04N 5/335

FI (4件)：

H01L 27/14 A ,  H04N 1/028 Z ,  H04N 5/335 E ,  H01L 27/14 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭59-130466
  
• 特開平1-303752
  
• 特開平2-054561
  
• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-248362   出願人：株式会社東芝