薄膜の製造方法及び製造装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-220587
公開番号（公開出願番号）：特開2005-068554
出願日： 2004年07月28日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：

【課題】結晶性に優れた薄膜を得ることが可能な製造方法と製造装置を提供する。【解決手段】蒸発源2a,2bからの蒸発粒子3はマスク4の開口4aを通過した後、基板5に付着して基板5上に薄膜6を形成する。マスク4の開口4aの周辺にプラズマ8を付与し、かつコイル9によりマスク4の開口4a内を通過する磁束を発生させてプラズマ8中の電子を基板5の成膜面に誘導する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

乾式成膜法によりソースから発生した原子、分子、又はクラスターをマスク開口内を通過させた後、基板に付着させて、前記基板上に薄膜を形成する薄膜の製造方法であって、前記マスク開口の周辺にプラズマを付与し、かつ前記マスク開口内を通過する磁束によって前記プラズマ中の電子を前記基板の成膜面に誘導することを特徴とする薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

C23C14/32 , G11B5/85 , G11B5/851

FI (3件)：

C23C14/32 D , G11B5/85 A , G11B5/851

Fターム (41件)：

4K029AA02 , 4K029AA11 , 4K029AA24 , 4K029AA25 , 4K029BA24 , 4K029BA50 , 4K029BD00 , 4K029BD11 , 4K029CA04 , 4K029DB14 , 4K029EA09 , 5D112AA05 , 5D112BB05 , 5D112FA01 , 5D112FB16 , 5D112FB24 , 5D112FB26 , 5H029AJ14 , 5H029AK03 , 5H029AL01 , 5H029AL06 , 5H029AL07 , 5H029AL12 , 5H029AM12 , 5H029CJ24 , 5H029CJ30 , 5H029HJ04 , 5H029HJ18 , 5H050AA19 , 5H050BA16 , 5H050BA17 , 5H050CA07 , 5H050CA08 , 5H050CB01 , 5H050CB07 , 5H050CB08 , 5H050CB12 , 5H050GA24 , 5H050GA29 , 5H050HA04 , 5H050HA18

引用特許：

出願人引用 (3件)

国際公開第03/021706号パンフレット
特開昭60-136230号公報
特開昭63-307272号公報

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