特許

J-GLOBAL ID：200903063387858072

位相シフトレチクルの製造方法

発明者： 山中 幸治
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-209703
公開番号（公開出願番号）：特開平5-053289
出願日： 1991年08月22日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】隣接する開口部分を透過する光に位相差を与えるために用いられる二酸化珪素を、低温で膜厚制御良く形成可能にする。【構成】レチクルの位相差を与えるべき透過部以外をレジストパターン5で覆い、レジスト5を残したまま常時二酸化珪素の過飽和状態に保たれた水溶液中にレチクルを浸漬することによって、レジスト膜の無い部分に選択的に二酸化珪素を形成する。

請求項（抜粋）：

隣接する開口部分を透過する光に位相差を与える位相シフトレチクルの製造方法において、該レチクルの位相差を与えるべき透過部以外をレジストパターンで覆う工程と、該レジスト膜を残したまま常時二酸化珪素の過飽和状態に保たれた水溶液中に該レチクルを浸漬することによって、該レジスト膜の無い部分に選択的に二酸化珪素を形成する工程と、該レチクル上に残したレジスト膜を除去する工程とを有することを特徴とする位相シフトレチクルの製造方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 W

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-153652
  
• 特開平3-105344
  
• 特開平4-301637
  
• 特開平2-211451