特許

J-GLOBAL ID：200903063397127203

半導体記憶装置

発明者： 福田 良 ,  長谷川 武裕 ,  大脇 幸人
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-272513
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116110
出願日： 1995年10月20日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】 一時記憶用レジスタセルを有するセンスアンプ部の面積増大を抑えることができ、チップ面積の縮小をはかり得る。【解決手段】 センスアンプ部に一時記憶用レジスタセルを有する半導体記憶装置において、レジスタセル3はpウェル9に形成されており、このpウェル9の隣にpチャネルのセンスアンプ4を形成するためのnウェル11を配置し、かつpウェル9に設けるべき隣接するnウェル11に対するpウェルガードリングとセル保護用のガードリング13とを共用した。

請求項（抜粋）：

センスアンプ部に一時記憶用レジスタセルを有する半導体記憶装置において、前記レジスタセルはpウェルに形成されており、該レジスタセルの隣にnウェルからなる回路を配置し、かつpウェルに設けるべき隣接するnウェルに対するpウェルガードリングとセル保護用のガードリングとを共用したことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 27/10 481

FI (5件)：

H01L 27/10 681 G ,  H01L 27/08 331 B ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/10 691