特許

J-GLOBAL ID：200903063397283299

電界効果トランジスタの回路シミュレーション用モデル

発明者： 廣瀬 達哉
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-195586
公開番号（公開出願番号）：特開平8-063505
出願日： 1994年08月19日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】 本発明は電界効果トランジスタの回路シミュレーション用モデルに関し、線形領域と飽和領域との境界部分が実際の電界効果トランジスタの特性に精度良く近似し、ゲート電圧の増大によるドレイン電流の飽和を表現できることを目的とする。【構成】 電界効果トランジスタのドレイン電圧・ドレイン電流特性を表現する関数として、第1の双曲線正接関数と、ドレイン電圧と、第2の双曲線正接関数を底とする指数関数との積を含む第1の関数を有する。

請求項（抜粋）：

電界効果トランジスタのドレイン電圧・ドレイン電流特性を関数で表現して回路シミュレーションを行う電界効果トランジスタの回路シミュレーション用モデルにおいて、上記ドレイン電圧・ドレイン電流特性を表現する関数として、第1の双曲線正接関数と、ドレイン電圧と、第2の双曲線正接関数を底とする指数関数との積を含む第1の関数を有することを特徴とする電界効果トランジスタの回路シミュレーション用モデル。

IPC (3件)：

G06F 17/50 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

G06F 15/60 662 A ,  H01L 29/78 301 Z