特許
J-GLOBAL ID:200903063398392911
熱的処理方法および熱的処理装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高山 宏志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-022589
公開番号(公開出願番号):特開2004-235469
出願日: 2003年01月30日
公開日(公表日): 2004年08月19日
要約:
【課題】形状精度に優れた回路パターンが得られるようにレジスト塗布膜が形成された基板を熱的に処理する熱的処理方法および熱的処理装置を提供する。【解決手段】表面にレジスト液が塗布されて塗布膜が形成されたウエハWを加熱処理チャンバ31の内部に収容されたホットプレート33上に載置する工程と、ウエハWの加熱処理中に加熱処理チャンバ31の容積を変化させてウエハWを加熱することにより塗布膜に含まれる所定の物質の蒸発速度を制御して、塗布膜の厚さ方向においてこの物質に分布を生じさせる工程と、ホットプレート33からウエハWをクーリングプレート43に移載してウエハWを冷却する工程と、を有する。【選択図】 図5
請求項(抜粋):
表面にレジスト液が塗布されて塗布膜が形成された基板の熱的処理方法であって、
チャンバの内部に収容されたホットプレート上に前記基板を載置する工程と、
前記塗布膜に含まれる所定の物質が前記塗布膜の厚さ方向において所定の分布を生じるように、前記ホットプレートによる前記基板の加熱処理中に前記チャンバの容積を変化させることによって、前記所定の物質の蒸発速度を制御する工程と、
前記ホットプレートから前記基板を離隔させて前記基板を冷却する工程と、
を有することを特徴とする熱的処理方法。
IPC (4件):
H01L21/027
, B05C9/14
, B05C15/00
, B05D3/02
FI (4件):
H01L21/30 567
, B05C9/14
, B05C15/00
, B05D3/02 Z
Fターム (24件):
4D075BB18Z
, 4D075BB24Z
, 4D075BB36Z
, 4D075BB57Z
, 4D075BB91Z
, 4D075BB95Z
, 4D075CA48
, 4D075DA06
, 4D075DA08
, 4D075DB14
, 4D075DC22
, 4D075EA07
, 4D075EA45
, 4F042AA07
, 4F042AB00
, 4F042BA02
, 4F042BA04
, 4F042BA06
, 4F042BA13
, 4F042BA25
, 4F042DB17
, 4F042DB48
, 5F046KA04
, 5F046KA10
引用特許:
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