特許
J-GLOBAL ID：200903063399790643
シクロデキストリン誘導体およびその製造方法、ロタキサンおよびその製造方法、並びに屈折率変換材料および光-熱変換蓄積材料
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
大井 正彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-115330
公開番号（公開出願番号）：特開2005-298631
出願日： 2004年04月09日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：
【課題】 光照射によって屈折率が変化し、その変化量が大きく、成膜が容易なシクロデキストリン誘導体およびその製造方法、このシクロデキストリン誘導体を環状分子として有するロタキサンおよびその製造方法、並びにこれらの化合物からなる屈折率変換材料および熱エネルギー変換蓄積材料を提供する。【解決手段】 本発明のシクロデキストリン誘導体は、一般式(1)で表されるシクロデキストリン誘導体であって、シクロデキストリンにおける全水酸基に対するエーテル化率が60%以上である。【化1】〔但し、R1 〜R3 は、水素原子または式(a)の基、mは6〜9の整数である。〕【化2】【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で表されるシクロデキストリン誘導体であって、シクロデキストリンにおける全水酸基に対するエーテル化率が60%以上であることを特徴とするシクロデキストリン誘導体。
IPC (3件)：
C08B37/16
, C08K5/1545
, C08L101/06
C08B37/16
, C08K5/1545
, C08L101/06
4C090AA02
, 4C090AA03
, 4C090AA05
, 4C090AA08
, 4C090BA10
, 4C090BB12
, 4C090BB53
, 4C090BB76
, 4C090BB92
, 4C090DA31
, 4J002CH051
, 4J002EL086
, 4J002GP00
, 4J002GT00
