特許

J-GLOBAL ID：200903063399956002

プラズマプロセス装置

発明者： 日高 浩二
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-074037
公開番号（公開出願番号）：特開2000-273625
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 2000年10月03日
要約：

【要約】【課題】 導入する水蒸気流量を安定化し、高い信頼性を有するプラズマプロセス装置を提供することを提供すること。【解決手段】 プロセスガスとしての水蒸気の存在下で反応を行う反応室と、水を収容する容器からなる水蒸気発生源と、この水蒸気発生源から水蒸気を反応室に供給する水蒸気供給ラインとを具備するプラズマプロセス装置において、前記水を収容する容器内で水面より上にある所定の領域の温度が、供給ラインの温度よりも低くなるように、温度差を生ずる手段を更に備えたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

プロセスガスとしての水蒸気の存在下で反応を行う反応室と、水を収容する容器からなる水蒸気発生源と、この水蒸気発生源から水蒸気を前記反応室に供給する水蒸気供給ラインとを具備するプラズマプロセス装置において、前記水を収容する容器内で水面より上にある所定の領域の温度が、前記供給ラインの温度よりも低くなるように、温度差を生ずる手段を更に備えたことを特徴とするプラズマプロセス装置。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ,  G02F 1/1343

FI (2件)：

C23C 14/34 M ,  G02F 1/1343

Fターム (9件)：

2H092KA05 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA29 ,  2H092MA35 ,  2H092NA27 ,  4K029BC09 ,  4K029CA06 ,  4K029DC00