特許
J-GLOBAL ID：200903063403494701
半導体集積回路装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-005858
公開番号（公開出願番号）：特開2008-172249
出願日： 2008年01月15日
公開日（公表日）： 2008年07月24日
要約：
【課題】溝シフタ構造を有するマスクにおいて位相の絶対値制御精度を緩和する。【解決手段】同一マスク2の同一面の異なる平面位置に形成された転写領域4C,4Dをスキャンニング露光によって多重露光する。転写領域4C,4Dには同一マスクパターンが形成されているが、各々の溝シフタ2dの配置が反対となっている。多重露光により、マスクにおける位相の絶対値が変動しても、それぞれのパターンの光強度は同一となり、転写されたパターン寸法精度が向上する。【選択図】図15
請求項（抜粋）：
以下の工程を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法:
(a)ウエハの第1の主面にフォトレジスト膜を形成する工程;
(b)上記フォトレジスト膜が形成された上記ウエハを露光装置のウエハステージに設置する工程;
(c)上記ウエハステージに設置された上記ウエハの上記第1の主面の第1の領域に対して、第1の位相シフトマスクパターンを紫外光により縮小投影露光する工程;
(d)上記工程の後、上記ウエハステージに設置された上記ウエハの上記第1の主面の上記第1の領域に対して、第2の位相シフトマスクパターンであって上記第1の位相シフトマスクパターンの位相を反転させたものを紫外光により縮小投影露光する工程;
(e)上記工程(c)の後、上記ウエハステージに設置された上記ウエハの上記第1の主面の上記第1の領域に対して、上記第1の位相シフトマスクパターンを、再度、紫外光により縮小投影露光する工程;
(f)上記工程(d)の後、上記ウエハステージに設置された上記ウエハの上記第1の主面の上記第1の領域に対して、上記第2の位相シフトマスクパターンを、再度、紫外光により縮小投影露光する工程。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20
, G03F 1/08
H01L21/30 514A
, G03F7/20 521
, H01L21/30 502P
, G03F1/08 A
2H095BB02
, 2H095BB03
, 2H095BC09
, 5F046AA11
, 5F046AA25
, 5F046BA04
, 5F046BA05
, 5F046CB17
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (12件)
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