特許

J-GLOBAL ID：200903063405781058

半導体装置

発明者： 遠藤 和彦
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-217470
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083842
出願日： 1994年09月12日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の多層配線用層間絶縁膜に非晶質炭素膜を使用し、信号遅延を低減させる。【構成】 真空装置内にあらかじめアルミニウム等で配線を形成したシリコン基板を設置し、続いて真空装置中で炭素水素ガス系によってプラズマを発生させる。生成された炭化水素ラジカル、イオンによって、SiO2 よりも誘電率の低い非晶質炭素膜を堆積させ、半導体装置用層間絶縁膜とする。また同時にフッ素ガスを流入し、同様プラズマによってフッ素のラジカル、イオンを生成し、非晶質炭素膜中にフッ素を含有させて低誘電率させる。この低誘電率の非晶質炭素膜、及び含フッ素非晶質炭素膜を半導体装置の多層配線用層間絶縁膜に用いることにより、信号遅延を低減させる。また非晶質炭素膜中にフッ素を含有させる場合は、フッ素含有量に深さ方向の分布を持たせることにより、非晶質炭素膜のはがれを防止する。

請求項（抜粋）：

非晶質炭素膜を層間絶縁材料に用いることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/314

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-234128
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-028000   出願人：富士通株式会社
• 特開平3-087047