特許

J-GLOBAL ID：200903063412243363

半導体装置及びその製造方法

発明者： 角 博文
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-194903
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041387
出願日： 1996年07月24日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】 凸部状の層構造上に薄膜を成膜する際、その薄膜の剥がれ現象が生じない積層構造を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の半導体装置は、ポリSi膜18及びWSi膜20からなる凸部状の層構造上に凸部状の層構造の力学的ストレスを緩和する方向のストレスを有するストレス緩和層(p-SiN膜)26を備えた積層構造を基板12上に有する。Si窒化膜は、500°C以下の成膜温度でプラズマCVD法、又はスパッタ法により成膜されている。

請求項（抜粋）：

凸部状の層構造上に凸部状の層構造の力学的ストレスを緩和する方向のストレスを有するストレス緩和層を備えた積層構造を基板上に有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/318 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 21/90 K ,  H01L 21/28 301 D ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/318 B ,  H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-218164
  
• 特開昭58-155767
  
• 特開昭61-170067
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-177055   出願人：ソニー株式会社