特許

J-GLOBAL ID：200903063412301339

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 飯田 雅也 ,  野中 裕介
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-106646
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305240
出願日： 2001年04月05日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：

【要約】【課題】 素子分離領域の増加を防止し、素子形成領域を確保する。【解決手段】 半導体基板1中の素子分離溝4内に多結晶シリコン膜を堆積し、この多結晶シリコン膜の表面に熱酸化膜(酸化シリコン膜6a)を形成した後、素子分離溝4内に酸化シリコン膜8を埋めこみ、この酸化シリコン膜8を緻密化する。その結果、緻密化するための熱処理工程により前記多結晶シリコン膜が酸化され酸化シリコン膜6bとなり、半導体基板1の酸化を防止することができるため、素子分離領域Lの増加を抑えることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に素子形成領域と素子分離領域とを有する半導体集積回路装置の製造方法であって、(a)前記素子分離領域の半導体基板中に、素子分離溝を形成する工程と、(b)前記素子分離溝内に導電性膜を形成する工程と、(c)前記導電性膜の表面を熱酸化することにより前記導電性膜の表面に熱酸化膜を形成する工程と、(d)前記素子分離溝内を含む半導体基板上に絶縁膜を堆積し、研磨することによって前記素子分離溝内に絶縁膜を埋め込む工程と、(e)前記素子分離溝内に埋め込こまれた絶縁膜に熱処理を施すことにより、前記絶縁膜をデンシファイする工程と、を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/76 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/76 L ,  H01L 29/78 301 R

Fターム (25件)：

5F032AA45 ,  5F032AA47 ,  5F032AA70 ,  5F032AA77 ,  5F032CA17 ,  5F032DA02 ,  5F032DA53 ,  5F032DA78 ,  5F140AA39 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BE07 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG32 ,  5F140BG39 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK20 ,  5F140CB04