特許

J-GLOBAL ID：200903063413011601

はんだバンプ形成方法

発明者： 山本 直樹
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-267667
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122559
出願日： 1993年10月27日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【目的】 はんだバンプの形成方法において、リフトオフに用いたスペーサーを除去することなく、そのまま素子構成の一部として層間絶縁膜に用いる。【構成】 半導体基板1上に樹脂膜2とレジスト膜3とを順次積層する工程と、レジスト膜3をパターニングし、レジスト膜3をマスクとして樹脂膜2に上縁がレジスト膜3の開口面積より大きい開口を有するはんだバンプ形成用の開口部4を形成する工程と、半導体基板1上にはんだバンプ形成用の金属膜5を被覆する工程と、レジスト膜3をリフトオフによりレジスト膜3上の金属膜5と共に除去し、開口部4内にのみ金属膜5を残してはんだバンプ6とする工程と、樹脂膜2をはんだバンプ6の融点より低い温度で加熱して、樹脂膜2の膜厚を減ずる工程とを含む。

請求項（抜粋）：

半導体基板(1) 上に樹脂膜(2) とレジスト膜(3) とを順次積層する工程と、該レジスト膜(3) をパターニングし、続いて、該レジスト膜(3) をマスクとして、該樹脂膜(2) に上縁が該レジスト膜(3) の開口面積より大きい開口を有するはんだバンプ形成用の開口部(4) を形成する工程と、該半導体基板(1) 上にはんだバンプ形成用の金属膜(5) を被覆する工程と、該レジスト膜(3) をリフトオフにより該レジスト膜(3) 上の該金属膜(5) と共に除去し、該開口部(4) 内にのみ該金属膜(5) を残してはんだバンプ(6) とする工程と、該樹脂膜(2) を該はんだバンプ(6) の融点より低い温度で加熱して、該樹脂膜(2) の膜厚を減ずる工程とを含むことを特徴とするはんだバンプ形成方法。