特許
J-GLOBAL ID:200903063413102780
信号レベル変換回路および信号レベル変換回路を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大前 要
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-262254
公開番号(公開出願番号):特開2001-085988
出願日: 1999年09月16日
公開日(公表日): 2001年03月30日
要約:
【要約】【課題】 電源電圧の異なる単結晶シリコンによるMOSFET集積回路と多結晶シリコンによるTFT集積回路のインターフェイス回路において、薄膜トランジスタのしきい値がばらついても、MOSFET集積回路の低振幅信号をTFT集積回路の高振幅信号に変換する信号レベル変換回路を提供する。【解決手段】 差動入力部がPチャンネル型薄膜トランジスタ21,23で構成されたオペアンプ10の非反転入力端子20に、MOSFET集積回路11からの低振幅信号を入力し、反転入力端子22に比較電圧信号を入力することにより、オペアンプ10のコンパレータ動作を利用してレベル変換を行う。
請求項(抜粋):
第1回路と、第1回路よりも電源電圧が大きい第2回路との間に設けられ、第1回路からの低振幅信号を入力して高振幅信号に変換する信号レベル変換手段を備え、この信号レベル変換手段からの高振幅信号を前記第2回路に出力する信号レベル変換回路において、前記信号レベル変換手段が一対のPチャネル型入力トランジスタで構成された演算増幅器からなり、この演算増幅器の非反転入力端子に、前記低振幅信号を入力し、演算増幅器の反転入力端子に、前記低振幅信号のハイレベルとローレベルの間の所定電圧レベルに設定された比較電圧が印加されるようにしたことを特徴とする信号レベル変換回路。
IPC (4件):
H03K 19/0185
, G02F 1/133 550
, G09G 3/20 612
, G09G 3/36
FI (4件):
H03K 19/00 101 B
, G02F 1/133 550
, G09G 3/20 612 D
, G09G 3/36
Fターム (37件):
2H093NA16
, 2H093NC09
, 2H093NC11
, 2H093NC21
, 2H093NC34
, 2H093NC49
, 2H093ND09
, 2H093ND15
, 5C006AF46
, 5C006AF51
, 5C006BB16
, 5C006BF14
, 5C006BF25
, 5C006BF26
, 5C006BF34
, 5C006BF46
, 5C006FA20
, 5C080AA10
, 5C080BB05
, 5C080DD03
, 5C080DD28
, 5C080FF11
, 5C080JJ02
, 5C080JJ03
, 5C080JJ04
, 5J056AA00
, 5J056AA32
, 5J056BB37
, 5J056CC01
, 5J056CC02
, 5J056CC10
, 5J056CC21
, 5J056DD13
, 5J056DD28
, 5J056FF06
, 5J056FF09
, 5J056KK01
引用特許:
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