特許

J-GLOBAL ID：200903063422018660

半導体製造装置に於ける反応副生成物除去方法

発明者： 寿崎 健一
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-252526
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086265
出願日： 1993年09月14日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】半導体製造装置に於ける反応副生成物除去方法に於いて、反応室を分解することなく反応副生成物の除去を行う。【構成】反応炉シールが焼損しない温度で、反応副生成物付着部を加熱し、反応室内を1〜100Pa程度に減圧し、反応副生成物を加熱気化させ、反応室外に排出する。

請求項（抜粋）：

反応炉シールが焼損しない温度で、反応副生成物付着部を加熱し、反応室内を1〜100Pa程度に減圧することを特徴とする半導体製造装置に於ける反応副生成物除去方法。