電力用半導体スイッチのゲート/ベース駆動方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-048994
公開番号（公開出願番号）：特開平11-235011
出願日： 1998年02月13日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】電力用半導体スイッチのオフ駆動用に使用するMOSFETは、ゲート、ソース、ドレイン相互間の静電容量が大きいため、ターンオフ時蓄積されている電荷を放電する時間が長くなり、ターンオフ時間が長く装置の高周波化を阻害していた。【解決手段】電力用半導体スイッチオフ用MOSFETをオフゲート/ベース制御信号印加直後の極短時間(ゲート/ベースオフ電流が零となるまでの時間)だけ完全にオンし、その後は前記ドレインとゲート間の抵抗によりMOSFETを閾値で動作させることにした。

請求項（抜粋）：

電力用半導体スイッチのオン駆動用のスイッチとオフ駆動用スイッチを直列接続したものを、直列接続された正・負の直流電源の両端に並列に接続し、このスイッチの接続点を前記電力用半導体スイッチのゲート/ベースに、前記直流電源の接続点を前記電力用半導体スイッチのカソード/エミッタにそれぞれ接続してなる回路を形成した回路において、前記オフ駆動用スイッチにMOSFETを使用し、該MOSFETのドレインとゲートの間に抵抗を接続し、該MOSFETをオフゲート/ベース制御信号印加直後の極短時間(ゲート/ベースオフ電流が零となるまでの時間)だけ完全にオンし、その後は前記ドレインとゲート間の抵抗によりMOSFETを閾値で動作させることを特徴とする電力用半導体スイッチのゲート/ベース駆動方法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭62-147951
特開昭61-030957

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