特許

J-GLOBAL ID：200903063425758907

光電変換デバイスの、光電変換特性の測定または予測方法、および、スペクトル依存性の定量化方法、並びに、それらの装置

発明者： 松山 深照
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 大塚 康徳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-203774
公開番号（公開出願番号）：特開2002-111030
出願日： 2001年07月04日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】 モジュールあるいはアレイなどの大面積の積層型の光電変換デバイスでも測定でき、屋内でも屋外でも測定可能で、低コストの測定システムを用いながら、正確に光電変換特性を測定する測定方法を提供する。【解決手段】 複数の異なるスペクトル状態の照射光の下における光電変換デバイスの光電変換特性と、光電変換デバイスの各コンポーネントセルの短絡電流の基準状態からのずれを推定し、測定された光電変換特性と推定されたずれとを比較して、基準状態における光電変換デバイスの光電変換特性を取得する。

請求項（抜粋）：

複数の半導体接合を積層した構造を有する積層型の光電変換デバイスの光電変換特性を測定する方法であって、複数の異なるスペクトル状態の照射光の下で、前記光電変換デバイスの出力特性を測定し、前記光電変換デバイスの複数の半導体接合それぞれが形成するコンポーネントセルの各短絡電流の基準状態からのずれを推定し、測定された光電変換特性と、推定された各短絡電流の基準状態からのずれとを比較して、前記基準状態における前記光電変換デバイスの光電変換特性を取得することを特徴とする測定方法。

IPC (5件)：

H01L 31/04 ,  G01R 31/26 ,  H01L 21/66 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/02

FI (6件)：

G01R 31/26 F ,  H01L 21/66 X ,  H01L 31/04 K ,  H01L 31/02 A ,  H01L 27/14 Z ,  H01L 31/04 W

Fターム (26件)：

2G003AA06 ,  2G003AB01 ,  2G003AE01 ,  4M106AA01 ,  4M106AA04 ,  4M106AB09 ,  4M106BA04 ,  4M106CA17 ,  4M106CA21 ,  4M118AA09 ,  4M118AB10 ,  4M118BA07 ,  4M118CA05 ,  4M118CB05 ,  4M118CB06 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051DA04 ,  5F051DA15 ,  5F051GA02 ,  5F051KA09 ,  5F088AA01 ,  5F088AB04 ,  5F088AB05 ,  5F088BA20 ,  5F088DA11