特許

J-GLOBAL ID：200903063430795586

薄膜の製造方法と電池

発明者： 宇賀治 正弥 ,  樋口 洋 ,  伊藤 修二 ,  本田 和義 ,  新田 芳明 ,  稲葉 純一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (2件)： 石井 和郎 ,  河崎 眞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-223861
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063419
出願日： 2002年07月31日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】薄膜を成膜した場合に、その薄膜の組成、厚さおよび結晶性と、目標とする薄膜の組成、厚さおよび結晶性とのずれを生じにくくする。【解決手段】(1)基板上に薄膜の一部としての部分薄膜を成膜する成膜工程と、(2)前記部分薄膜からなる累積膜の組成、厚さおよび結晶性から選ばれる少なくとも1つの物性を分析する分析工程と、(3)前記分析工程で得られた前記累積膜の実測物性値と、予め設定された目標累積膜の対応物性値とを比較して、両者のずれを求める比較工程と、(4)前記ずれの大きさが所定値以上の場合には、成膜条件を補正する補正工程とを有する薄膜の製造方法。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

(1)基板上に薄膜の一部としての部分薄膜を成膜する成膜工程と、 (2)前記部分薄膜からなる累積膜の組成、厚さおよび結晶性から選ばれる少なくとも1つの物性を分析する分析工程と、 (3)前記分析工程で得られた前記累積膜の実測物性値と、予め設定された目標累積膜の対応物性値とを比較して、両者のずれを求める比較工程と、 (4)前記ずれの大きさが所定値以上の場合には、成膜条件を補正する補正工程とを有する薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01M10/40 ,  C23C14/54 ,  C23C16/52

FI (3件)：

H01M10/40 B ,  C23C14/54 C ,  C23C16/52

Fターム (29件)：

4K029BD00 ,  4K029CA01 ,  4K029CA03 ,  4K029CA05 ,  4K029DB18 ,  4K029DB20 ,  4K029DB21 ,  4K029EA01 ,  4K030HA14 ,  4K030JA01 ,  4K030JA11 ,  4K030KA39 ,  4K030LA11 ,  5H029AJ14 ,  5H029AK02 ,  5H029AK03 ,  5H029AL01 ,  5H029AL03 ,  5H029AL07 ,  5H029AL08 ,  5H029AL11 ,  5H029AL12 ,  5H029AM12 ,  5H029BJ04 ,  5H029BJ12 ,  5H029CJ24 ,  5H029DJ07 ,  5H029DJ09 ,  5H029DJ17