特許

J-GLOBAL ID：200903063435096856

半導体レーザ素子及びその製造方法

発明者： 松本 晃広
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-059876
公開番号（公開出願番号）：特開2001-251015
出願日： 2000年03月06日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 窓領域を形成する熱アニールにおいて、Znの拡散による動作電流及び動作電圧の増大を防止する。【解決手段】 半導体基板上100に、n型クラッド層101、量子井戸活性層102、p型クラッド層103、p型キャップ層107を有し、各半導体層に垂直な共振器端面を有し、共振器端面付近における活性層のバンドギャップが共振器内部の活性層のバンドギャップよりも大きい窓領域を有し、窓領域のp型クラッド層103Wには第1ドーパントと第1ドーパントより拡散定数の大きい第2ドーパントとが混在し、窓領域以外の活性領域のp型クラッド層103Aには第1ドーパントが第2ドーパントより高濃度に存在する半導体レーザ素子。また、窓領域のp型キャップ層107Wにおける第2ドーパントの濃度が第1ドーパントの濃度より高く配設する半導体レーザ素子。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、n型クラッド層、活性層、p型クラッド層、p型キャップ層を有し、各半導体層に垂直な共振器端面を有し、該共振器端面の少なくとも一方の端面付近における活性層のバンドギャップが共振器内部の活性層のバンドギャップよりも大きい窓領域を有する半導体レーザ素子において、該窓領域のp型クラッド層には第1ドーパントと第1ドーパントより拡散定数の大きい第2ドーパントとが混在し、該窓領域以外の活性領域のp型クラッド層には第1ドーパントが第2ドーパントより高濃度に存在することを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 5/16 ,  H01S 5/227

FI (2件)：

H01S 5/16 ,  H01S 5/227

Fターム (14件)：

5F073AA13 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AA87 ,  5F073CA14 ,  5F073CB10 ,  5F073CB18 ,  5F073CB19 ,  5F073DA06 ,  5F073DA12 ,  5F073DA35 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-166284
  
• 半導体レーザ素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-058086   出願人：富士電機株式会社
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-097417   出願人：三菱電機株式会社