特許

J-GLOBAL ID：200903063437481137

シリコンウエハ表面の低圧高水素流量クリーニング方法

発明者： アルカディ サモイロフ ,  デイル アール. デュボワ ,  ブラッドリー エム. キュアロップ ,  ポール ビー. コミタ ,  デイヴィッド ケイ. カールソン
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-020298
公開番号（公開出願番号）：特開2001-298010
出願日： 2001年01月29日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】【課題】 シリコンウエハ表面の低圧高水素流量クリーニング方法を提供する。【解決手段】 約1トール以下の処理圧力と約3SLMまでの水素流量の組合せによって、反応性ガスを用いずに約800未満の処理温度でシリコンウエハ表面から酸素汚染を実質的にすべて除去されることが分かった。こうした処理圧力及び流量で処理後、処理温度は800未満のままであっても、処理圧力、水素流量、及び処理温度を増大することによって、さらに低いレベルの酸素汚染を達成可能である。低圧及び高水素流量の組合せは、少なくとも30立方メートル/時の真空ポンプ体積流量を用いて達成し得る。また、本発明は、本発明の方法及び他の方法を実施可能である、シリコンウエハ表面のクリーニング装置についても説明している。

請求項（抜粋）：

チャンバ内でのシリコンウエハ表面のクリーニング方法であって、シリコンウエハをチャンバに搬送するステップと、チャンバを約1トール未満の処理圧力に排気するステップと、処理圧力を維持しつつ、水素ガスをシリコンウエハ表面に流すステップと、シリコンウエハを約800°C以下の処理温度まで加熱するステップと、水素ガスを表面に流しつつ、シリコンウエハを処理圧力及び処理温度に維持するステップとを有するクリーニング方法。

IPC (6件)：

H01L 21/304 645 ,  H01L 21/304 648 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  C23C 16/02

FI (6件)：

H01L 21/304 645 Z ,  H01L 21/304 648 A ,  H01L 21/304 648 L ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/02 ,  H01L 21/302 N