磁気抵抗効果型ヘッドおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：煤孫耕郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-034273
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203036
出願日： 1995年01月31日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】 MRヘッドの縦バイアス膜や電極膜がMR膜と接合することを容易にし、抵抗の低いMRヘッドを高い歩留まりで実現する。【構成】基体(1)〜(5)上に形成された媒体磁界を感知する中央領域と、この中央領域の両端面から中央領域を挟んで位置し中央領域に縦バイアスを印加する機能を有する端部領域(13)〜(15)とを含むMRヘッドにおいて、中央領域が基体に近接する順に、SAL膜(5)、磁気分離膜(6)、MR膜(7)、保護膜(8)、絶縁膜(9)の積層構造膜からなり、各々の膜の膜厚とイオンミリング速度とを横バイアス膜をδa,Ra、磁気分離膜をδb,Rb、磁気抵抗膜をδc,Rc、保護膜をδe,Re、絶縁膜をδd,Rdとしたときに、(δa/Ra)+(δb/Rb)<(δc/Rc)+(δd/Rd)+(δe/Re)を満足するように膜厚、特に、絶縁膜の膜厚を調節する。

請求項（抜粋）：

基体上に形成された外部磁界を感知する中央領域と、前記中央領域の両端面から前記中央領域を挟んで位置し前記中央領域に縦バイアスを印加する機能を有する端部領域とを含む磁気抵抗効果型ヘッドであって、前記中央領域が前記基体に近接する順に、横バイアス用軟磁性膜、磁気分離膜、磁気抵抗膜、絶縁膜の積層構造膜からなり、各々の膜の膜厚とイオンミリング速度とを横バイアス膜をδa,Ra、磁気分離膜をδb,Rb、磁気抵抗膜をδc,Rc、絶縁膜をδd,Rdとしたときに、(δa/Ra)+(δb/Rb)<(δc/Rc)+(δd/Rd)を満足することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。

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