特許

J-GLOBAL ID：200903063437838663

多結晶シリコン膜の作製方法

発明者： 伊藤 政隆 ,  小島 義己 ,  藤原 正弘 ,  森田 達夫 ,  土本 修平
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-210795
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055140
出願日： 1991年08月22日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】 結晶粒径が大きい良質の多結晶シリコン膜を生産性良く作製する。【構成】 まず、プラズマCVD法により、シランを原料ガスとして温度450°C乃至550°Cでa-Si膜を作製する。続いて、上記a-Si膜を温度550°C乃至600°Cで熱処理して多結晶化させる。

請求項（抜粋）：

プラズマCVD法により、シランを原料ガスとして温度450°C乃至550°Cでアモルファスシリコン膜を作製する工程と、上記アモルファスシリコン膜を温度550°C乃至600°Cで熱処理して多結晶化させる工程を有することを特徴とする多結晶シリコン膜の作製方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/784