特許

J-GLOBAL ID：200903063439627279

CVD成膜装置

発明者： 早稲田 隆太 ,  上野 泰
出願人/特許権者： セントラル硝子株式会社
代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-283659
公開番号（公開出願番号）：特開2001-107247
出願日： 1999年10月05日
公開日（公表日）： 2001年04月17日
要約：

【要約】【課題】 従来CVD成膜装置においては、成膜原料によるガス吐出ノズル(スリット)部や吸引ノズル(スリット)部に付着物が堆積した場合に、装置を解体、清掃し、再稼働するまでに手間、時間を要したが、その不具合を解消する。【解決手段】 常圧CVD法により走行する加熱基板上へ1種又は2種以上の成膜用ガスを吹付け、その熱分解により被膜を形成するための装置であって、ガス供給部と、ガス供給部に付設し、基板にガスを吹付け被膜形成するためのガス吐出口を有するガス吐出口形成部と、ガス供給部に対し成膜長手方向に隣設し、成膜後のガスを系外に排出するためのガス排出部と、ガス排出部に付設し、成膜後のガスをガス排出部に導くためのガス吸引口を有するガス吸引口形成部からなり、前記ガス吐出口形成部およびガス吸引口形成部をガス供給部およびガス排出部に対し着脱可能に付設したCVD成膜装置。

請求項（抜粋）：

常圧CVD法により走行する加熱基板上へ1種又は2種以上の成膜用ガスを吹付け、その熱分解により被膜を形成するための装置であって、ガス供給部と、ガス供給部に付設し、基板にガスを吹付け被膜形成するためのガス吐出口を有するガス吐出口形成部と、ガス供給部に対し成膜長手方向に隣設し、成膜後のガスを系外に排出するためのガス排出部と、ガス排出部に付設し、成膜後のガスをガス排出部に導くためのガス吸引口を有するガス吸引口形成部からなり、前記ガス吐出口形成部およびガス吸引口形成部をガス供給部およびをガス排出部に対し着脱可能に付設したことを特徴とするCVD成膜装置。

Fターム (8件)：

4K030AA11 ,  4K030BA46 ,  4K030CA06 ,  4K030EA06 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10 ,  4K030GA14 ,  4K030JA09