特許

J-GLOBAL ID：200903063440956170

電力用半導体装置

発明者： 松下 憲一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-206799
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078668
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】耐圧が十分に高く、しかも、コストの増加を招かない電力用半導体装置を提供すること。【構成】n- 型半導体基板1に形成され、IGBTを有する電力用半導体素子領域と、n- 型半導体基板1に形成されたリサーフ構造16とを備え、電力用半導体素子領域のn- 型半導体基板1の表面には、第1のトレンチ溝ならびにn- 型半導体基板1と伴に接合終端を構成するp型ベース層2が形成され、リサーフ構造16は、n- 型半導体基板1の表面に形成され、p型ベース層2と接するp-型リサーフ層3と、このp- 型リサーフ層3の表面に形成された第2のトレンチ溝とからなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板に形成された電力用半導体素子領域と、前記第1導電型半導体基板に形成されたリサーフ構造とを具備してなり、前記電力用半導体素子領域の前記第1導電型半導体基板の表面には、第1のトレンチ溝ならびに前記第1導電型半導体基板と伴に接合終端を構成する第1の第2導電型半導体層が形成され、前記リサーフ構造は、前記第1導電型半導体基板の表面に形成され、前記第1の第2導電型半導体層と接する低濃度の第2の第2導電型半導体層と、この第2の第2導電型半導体層の表面に形成されたトレンチ溝とからなることを特徴とする電力用半導体装置。