半導体装置及び基板上の凹部の埋め込み方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-078348
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021208
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】各種の基板処理(イオン注入など)の処理を行った後、熱処理を行う場合についても、凹部近傍に欠陥が生じず、リーク電流が大きくなるなどの不都合の生じない半導体装置、及び基板の凹部の埋め込み方法を提供する。【構成】 ?@基板1上の凹部2に埋め込み材料を埋め込んで埋め込み部3,3a,3bを形成した半導体装置であって、該埋め込み部は凹部の開口上面よりも突出する構成で形成し、該突出部31の側部にはサイドウォール4を形成した構成の半導体装置。?A基板上の凹部に埋め込み材料を埋め込む工程を行った後、基板処理を行い、その後熱処理を施す工程を備える基板上の凹部の埋め込み方法において、埋め込み材料を凹部の開口上面よりも突出する構成で形成し、この突出部の側部に下地保護部4を形成し、その後基板処理を行う凹部の埋め込み方法。

請求項（抜粋）：

基板上の凹部に埋め込み材料を埋め込んで埋め込み部を形成した半導体装置であって、該埋め込み部は凹部の開口上面よりも突出する構成で形成し、該突出部の側部にはサイドウォールを形成した構成であることを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平3-101147
特開昭59-181062
特開平3-079033

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