特許

J-GLOBAL ID：200903063444807986

プラズマ窒化処理装置及びその処理方法

発明者： 内山 敬太
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-082423
公開番号（公開出願番号）：特開2004-289081
出願日： 2003年03月25日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：

【課題】プラズマ窒化処理においてウェハ間の窒化量を均一にする、優れた処理装置及び処理方法を提供することを目的とする。【解決手段】絶縁膜を有する基板を窒化するプラズマ窒化処理装置において、プラズマ窒化処理を開始する前にウェハ温度をインプロセスで計測し、該ウェハ温度の計測値をCPUにフィードバックしてプラズマ窒化時間またはプロセス圧力を制御することにより、ウェハ間の窒化量の均一性を向上することができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

絶縁膜を有する基板を窒化するプラズマ窒化処理装置において、 窒化処理を開始する前に基板温度をインプロセスで計測する手段と、該基板温度の計測値をフィードバックして窒化処理条件を制御する手段と、を備えたことを特徴とするプラズマ窒化処理装置。

IPC (3件)：

H01L21/31 ,  H01L21/318 ,  H01L29/78

FI (3件)：

H01L21/31 A ,  H01L21/318 C ,  H01L29/78 301G

Fターム (17件)：

5F045AA20 ,  5F045AB34 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AE19 ,  5F045AF08 ,  5F045BB02 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ10 ,  5F045GB05 ,  5F058BA11 ,  5F058BC11 ,  5F058BF74 ,  5F058BF80 ,  5F058BJ04 ,  5F140BD09 ,  5F140BE13