半導体レーザ装置およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮園博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-276487
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086877
出願日： 2001年09月12日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：

【要約】【課題】半導体レーザ素子をジャンクションダウンでサブマウント(基台)に取り付ける構造において、信頼性を向上させることが可能な半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】MQW発光層4を含む半導体レーザ素子150の表面に形成され、凹凸形状を有するp側電極11と、半導体レーザ素子150が取り付けられるサブマウント(基台)14と、半導体レーザ素子150表面のp側電極11とサブマウント14との間に設けられ、半導体レーザ素子150表面のp側電極11とサブマウント14とを接合するための低融点金属層13aおよび13bとを備えている。

請求項（抜粋）：

発光層を含む半導体素子の表面に形成され、凹凸形状を有する第1電極層と、前記半導体素子が取り付けられる基台と、前記半導体素子表面の第1電極層と前記基台との間に設けられ、前記半導体素子表面の第1電極層と前記基台とを接合するための複数の低融点金属層とを備えた、半導体レーザ装置。

Fターム (12件)：

5F073AA13 , 5F073AA74 , 5F073CA14 , 5F073CB02 , 5F073CB22 , 5F073CB23 , 5F073DA05 , 5F073DA16 , 5F073DA21 , 5F073EA28 , 5F073FA15 , 5F073FA22

引用特許：

出願人引用 (4件)

発光装置およびそれを用いた光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-041361 出願人：ソニー株式会社
特開平2-231783
特開昭61-232691

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審査官引用 (7件)

発光装置およびそれを用いた光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-041361 出願人：ソニー株式会社
特開平2-231783
特開昭61-232691

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