特許

J-GLOBAL ID：200903063459410659

基板の湿式洗浄方法および湿式洗浄装置

発明者： 稲垣 靖史
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-363155
公開番号（公開出願番号）：特開2002-166237
出願日： 2000年11月29日
公開日（公表日）： 2002年06月11日
要約：

【要約】【課題】 有効成分としてフッ化水素酸を水に溶解した洗浄液を使用する基板の湿式洗浄技術において、洗浄時間経過に伴う上記洗浄液のHF濃度上昇を抑えて洗浄処理を均一・安定化する。【解決手段】 シリコン酸化膜が形成されたシリコン基板を洗浄液に浸漬してエッチング洗浄する方法において、フッ化アンモニウムとフッ化水素酸との混合水溶液を洗浄液として貯留したBHF槽(洗浄槽)15に、この洗浄液用の希釈液としてSC-1槽11の洗浄液を適宜量、間欠的に供給することにより、洗浄時間の経過に伴う上記洗浄液のフッ化水素酸濃度の上昇を抑える。希釈液としてリンス槽17の純水(イオン交換水)、乾燥槽18用のIPA液等を用いることもできる。

請求項（抜粋）：

フッ化アンモニウムおよび/またはフッ化水素酸の水溶液を含む洗浄液からなる洗浄槽を少なくとも含む複数の洗浄槽に、被洗浄基板を順次浸漬することにより基板を洗浄する方法において、前記フッ化アンモニウムおよび/またはフッ化水素酸含有洗浄槽に、別の洗浄槽からの洗浄液を加えることにより前記フッ化アンモニウムおよび/またはフッ化水素酸含有洗浄槽のフッ化水素濃度の上昇を抑えることを特徴とする基板の湿式洗浄方法。

IPC (8件)：

B08B 3/08 ,  B08B 3/04 ,  C11D 7/04 ,  C11D 7/26 ,  C11D 17/08 ,  H01L 21/304 642 ,  H01L 21/304 647 ,  H01L 21/304

FI (8件)：

B08B 3/08 Z ,  B08B 3/04 Z ,  C11D 7/04 ,  C11D 7/26 ,  C11D 17/08 ,  H01L 21/304 642 C ,  H01L 21/304 647 Z ,  H01L 21/304 647 A

Fターム (20件)：

3B201AA03 ,  3B201AB23 ,  3B201AB44 ,  3B201BB05 ,  3B201BB93 ,  3B201BB96 ,  3B201CB15 ,  3B201CC01 ,  3B201CC12 ,  3B201CC13 ,  4H003BA12 ,  4H003DA15 ,  4H003EA03 ,  4H003EA05 ,  4H003EA23 ,  4H003ED02 ,  4H003ED28 ,  4H003EE04 ,  4H003FA03 ,  4H003FA21