特許
J-GLOBAL ID：200903063460411278
ドライエツチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-301281
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055177
出願日： 1991年10月22日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【目的】 Si系材料,Al系材料の異方性エッチングを、炭素系ポリマー以外の物質で側壁保護を行いながら、しかも実用的なウェハ温度域で実現する。【構成】 ゲート電極加工において、多結晶シリコン層3をS2 Cl2 /N2 混合ガスを用いて20°Cでエッチングする。Cl* を主エッチング種としてエッチングが進行する一方で、S2 Cl2 から生成するSとN2 との反応によりポリチアジル(SN)x を主体とする側壁保護膜5が形成され、異方性形状を有するゲート電極3aを形成できる。側壁保護膜5は、レジスト・マスク4のアッシングと同時に昇華または分解除去されるので、パーティクル汚染源とならない。段差部に発生するエッチング残渣を除去するためにラジカル・モードでオーバーエッチングを行っても、側壁保護膜5の優れた安定性ゆえ、高異方性が維持される。
請求項（抜粋）：
窒素系化合物と放電解離条件下でプラズマ中に遊離のイオウを生成し得るイオウ系化合物とを含むエッチング・ガスを用いて基板上の被エッチング材料層をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (6件)：
H01L 21/302
, H01L 21/28
, H01L 21/027
, H01L 21/3205
, H01L 29/784
, H05H 1/18
H01L 21/30 361 R
, H01L 21/88 D
, H01L 29/78 301 G
