特許

J-GLOBAL ID：200903063464343404

p型半導体層用電極

発明者： 鈴木 譲
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-184659
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021811
出願日： 1998年06月30日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】 高温下においても、III-V族窒化物系化合物半導体から成るp型層との間で優れたオーミック接触をし、また前記p型層との密着性も優れ、更にはAuリード線との接続時における接触抵抗も小さくなるp型半導体層用電極を提供する。【解決手段】 この電極3は、III-V族窒化物系化合物半導体から成るp型層2の上に、Pt層3a,Ni層3b,Au層3cをこの順序で積層して形成されている。

請求項（抜粋）：

III-V族窒化物系化合物半導体から成るp型層の上に形成され、Pt層とNi層とAu層とをこの順序で積層して成ることを特徴とするp型半導体層用電極。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  C23C 14/14

FI (3件)：

H01L 21/28 301 H ,  H01L 21/28 301 R ,  C23C 14/14 G

Fターム (15件)：

4K029AA04 ,  4K029BA05 ,  4K029BA12 ,  4K029BA13 ,  4K029BB02 ,  4K029BD02 ,  4K029CA01 ,  4M104AA04 ,  4M104BB06 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD79 ,  4M104FF13 ,  4M104HH08 ,  4M104HH15

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 窒化物系III-V族化合物半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-344219   出願人：シャープ株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体の電極材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-118227   出願人：日亜化学工業株式会社