特許

J-GLOBAL ID：200903063470925253

統計モデルパラメータ抽出方法および装置

発明者： 見山 美可子 ,  蒲原 史朗 ,  那倉 康一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-106695
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291778
出願日： 2000年04月04日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：

【要約】【課題】 MOSの飽和電流としきい値の測定データから、高速にかつ精度よくBSIM3のモデルパラメータを抽出するための統計モデルパラメータ抽出方法を提供する。【解決手段】 回路シミュレーションを行うときに使用するMOSデバイスのモデルパラメータの値を抽出する方法において、特定の1つのデバイスのVds-Ids,Vgs-Ids特性から抽出したモデルパラメータをベースとして、それ以外のMOSについては飽和電流としきい値のみの測定データからMOSの酸化膜厚、チャネルのドーズ量、短チャネル効果抑制インプラドーズ量、チャネル長、チャネル幅を表すプロセスに関連した統計モデルパラメータを抽出する。

請求項（抜粋）：

複数のMOSFETのデバイス特性測定データから回路シミュレーション用のMOSFETモデルのパラメータ値を抽出するモデルパラメータ抽出方法において、1つのMOSFETのVds-Ids,Vgs-Ids特性から抽出したモデルパラメータセットをベースとして、飽和電流としきい値から統計モデルパラメータ値を抽出することを特徴とするモデルパラメータ抽出方法。

IPC (6件)：

H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  G06F 17/50 662 ,  H01L 29/00 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

G06F 17/50 662 G ,  H01L 29/00 ,  H01L 27/08 102 Z ,  H01L 29/78 301 Z

Fターム (9件)：

5B046AA08 ,  5B046JA04 ,  5F040DA00 ,  5F040DA30 ,  5F040EA00 ,  5F048AB10 ,  5F048AC03 ,  5F048BB14 ,  5F048BD04