特許
J-GLOBAL ID：200903063473770161
ポリイミド膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
米澤 明 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-039539
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235522
出願日： 1992年02月26日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】 ソルダーレジストとして好適なポリイミド膜の形成方法。【構成】 基板上にポリアミド酸含有物質を塗布、乾燥して形成されたポリアミド酸膜上に、ポリアミド酸膜エッチング用レジストのパターンを形成して、ポリアミド酸膜をエッチング液によってエッチングした後に、ポリアミド酸膜エッチング用レジストを除去し、ポリアミド酸膜を熱処理することにより特定の領域に限定された絶縁膜あるいはソルダーレジストとして適したポリイミド膜を形成する。【効果】 微細な開口部等を有するポリイミド膜が得られる。
請求項（抜粋）：
基板上の特定の領域へのポリイミド膜の形成方法において、基板上にポリアミド酸含有物質を塗布の後に乾燥して形成したポリアミド酸膜上に、ポリアミド酸膜エッチング用レジストのパターンを形成した後にポリアミド酸膜をエッチング液によってエッチングし、次いでポリアミド酸膜エッチング用レジストを除去し、ポリアミド酸膜を熱処理してポリイミドとすることを特徴とするポリイミド膜の形成方法。
IPC (3件)：
H05K 3/28
, C08J 5/18 CFG
, C08L 79:08
