特許

J-GLOBAL ID：200903063478585052

SOI構造の製造方法

発明者： 新居 圭太
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 稲岡 耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-152281
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343320
出願日： 1992年06月11日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】 酸化時間を短くできるSOI構造の製造方法を提供する。【構成】 シリコン基板32上に酸化シリコン層50A を第1の厚みに形成する。酸化シリコン層50A の所定箇所にトレンチ52を形成し、トレンチ52底部の酸化シリコン層50B を第1の厚みよりも十分に薄い第2の厚みに形成する。トレンチ52を埋め込むよう、全面に窒化シリコン層53を堆積させた後、トレンチ52側壁に接触した窒化シリコン層53がサイドウォール54として残るように、かつトレンチ52底部のシリコン基板32表面がで露出するまでエッチングする。トレンチ52底部で露出しているシリコン基板32のシリコンを種結晶としてエピタキシャル成長させ、エピタキシャル成長層33をトレンチ52内で形成する。エピタキシャル成長層33下部にフィールド酸化層34を成長させて、シリコン基板32とエピタキシャル成長層33との接続を断つ。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に酸化シリコン層を第1の厚みに形成する工程、酸化シリコン層の所定箇所にトレンチを形成し、トレンチ底部の酸化シリコン層を第1の厚みよりも十分に薄い第2の厚みに形成する工程、トレンチを埋め込むよう、全面に窒化シリコン層を堆積させた後、トレンチ側壁に接触した窒化シリコン層がサイドウォールとして残るように、かつトレンチ底部のシリコン基板表面が露出するまでエッチングする工程、トレンチ底部で露出しているシリコン基板のシリコンを種結晶としてエピタキシャル成長させ、エピタキシャル成長層をトレンチ内で形成する工程、およびエピタキシャル成長層下部にフィールド酸化層を成長させて、シリコン基板とエピタキシャル成長層との接続を断つ工程を含むことを特徴とするSOI構造の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784