特許
J-GLOBAL ID：200903063487282259
多孔質ゲッタリング基板及びその製造方法並びにこれを用いるシリコン基板保管方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-166256
公開番号（公開出願番号）：特開平11-016919
出願日： 1997年06月23日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】半導体装置製造工程においてクリーンルームの建材等から発生し、シリコン基板表面に吸着される気体汚染物質を除去することを目的とする【解決手段】シリコン基板8上に多孔質層10を形成した後、基板と逆の導電型を生じる不純物を該多孔質層に注入して該層内にpn接合12を形成し、該多孔質層表面を清浄活性化処理することにより、該表面に多様な電位の分布を付与し、気体分子の多様な電子親和力に対応するゲッタリング性能を備えさせる。クリーンルーム中でシリコン基板保管に際し、該材と共に保管容器に収納する。
請求項（抜粋）：
多孔質シリコン層と、該多孔質シリコン層へドーパントを導入することにより形成されたpn接合とを有し、該pn接合を有する多孔質シリコン層の表面が清浄活性化処理されていることを特徴とするゲッタリング基板。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/322 M
, H01L 21/322 J
, H01L 21/02 D
