特許
J-GLOBAL ID:200903063490088706

誘電体誘電率および同調性の定量結像

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山本 恵一
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-523885
公開番号(公開出願番号):特表2003-509696
出願日: 2000年04月05日
公開日(公表日): 2003年03月11日
要約:
【要約】バルクおよび薄膜誘電体サンプルの誘電率および誘電同調性を、約1ミクロン以下の長さの尺度で結像する近接場走査マイクロ波顕微鏡である。顕微鏡は、線形誘電率および非線形誘電体誘電率に敏感であり、印加される電界の関数として測定することができる。汎用有限エレメント・モデルがシステムに使用されており、定量的な結果を得ることができる。技法は非破壊であり、広帯域(0.1〜50GHz)能力を有している。
請求項(抜粋):
プローブ・チップを備えた共振器を有する近接場走査マイクロ波顕微鏡を使用して誘電体誘電率を接触結像させるための方法であって、(a)プローブ・チップの幾何学記述子を決定するために、近接場走査マイクロ波顕微鏡を較正するステップと、(b)較正曲線を生成するステップと、(c)走査位置でプローブ・チップに接触したテストサンプルを走査し、かつ、走査位置毎に少なくとも1つのテストサンプル周波数偏移値を生成するステップと、(d)生成されたそれぞれのテストサンプル周波数偏移値および生成された較正曲線に基づいて、サンプル位置におけるテストサンプルの誘電体誘電率を決定するステップとを含む方法。
IPC (3件):
G01R 27/26 ,  G01N 13/14 ,  G01N 22/00
FI (3件):
G01R 27/26 H ,  G01N 13/14 A ,  G01N 22/00 Y
Fターム (10件):
2G028BB05 ,  2G028BC02 ,  2G028CG09 ,  2G028CG14 ,  2G028EJ01 ,  2G028FK03 ,  2G028FK07 ,  2G028HN14 ,  2G028JP04 ,  2G028MS02

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