特許

J-GLOBAL ID：200903063492385430

カルコパイライト系太陽電池の製造方法

発明者： 田辺 信夫 ,  岡田 顕一
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-031031
公開番号（公開出願番号）：特開2001-223374
出願日： 2000年02月08日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：

【要約】【課題】 複雑で大型の装置を必要とせず、製造工程が少なく、比較的短時間で、しかも低コストで良質のカルコパイライト層を形成することができるカルコパイライト系太陽電池の製造方法を得る。【解決手段】 表面に銅膜が形成された銅基板11を、溶融Inまたは溶融Inと溶融Gaとの混合物に接触させて、該銅基板11表面にCuIn反応層またはCuInGa反応層を形成する第1工程と、前記銅基板11上に形成されたCuIn層またはCuInGa層を、溶融Se、溶融Sまたは溶融Seと溶融Sとの混合物のいずれかに接触させて、銅基板11表面上にカルコパライト層13を形成する第2工程によりカルコパイライト層を形成する。

請求項（抜粋）：

表面に銅膜が形成された基板を、溶融Inまたは溶融Inと溶融Gaとの混合物に接触させて、該基板表面にCuIn反応層またはCuInGa反応層を形成する第1工程と、前記基板上に形成されたCuIn層またはCuInGa層を、溶融Se、溶融Sまたは溶融Seと溶融Sとの混合物のいずれかに接触させて、基板表面上にカルコパライト層を形成する第2工程によりカルコパイライト層を形成することを特徴とするカルコパイライト系太陽電池の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/368

FI (2件)：

H01L 21/368 Z ,  H01L 31/04 E

Fターム (8件)：

5F051AA10 ,  5F051FA02 ,  5F051GA02 ,  5F053AA03 ,  5F053DD20 ,  5F053HH10 ,  5F053LL05 ,  5F053RR13