特許

J-GLOBAL ID：200903063493783448

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

発明者： 田牧 真人 ,  加藤 久喜 ,  小滝 正宏 ,  真部 勝英 ,  田嶋 一郎 ,  中嶋 健次
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-300527
公開番号（公開出願番号）：特開平6-125113
出願日： 1992年10月12日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：

【要約】【目的】GaN系の化合物半導体の発光ダイオードにおける電流集中を防止して発光寿命を長期化すること。【構成】高キャリア濃度n+ 層3、低キャリア濃度n層4、i層5、高キャリア濃度n+ 層3に対する電極80と、i層5に対する電極70とを有する。i層5に対する電極70とi層5との間に薄い絶縁膜6を設けた。絶縁膜6は電子がトンネルできる程の厚さである。この絶縁膜6により面上一様に電流がi層5に注入される。よって、i層5における電流集中が防止される結果、絶縁破壊が防止され、発光寿命が長期化する。

請求項（抜粋）：

n型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa1-XN;X=0を含む)から成るn層と、p型不純物を添加したi型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa1-XN;X=0を含む)から成るi層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記i層の表面に薄い絶縁膜を形成し、その絶縁膜の上に前記i層に対する電極を形成したことを特徴とする発光素子。