特許

J-GLOBAL ID：200903063497186592

半導体装置

発明者： 田中 幸次
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-126004
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323654
出願日： 1999年05月06日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置を大型化することなく、サージによる誤動作を防止すると共に、パワー素子の発熱を感度良く検出することのできる半導体装置を提供すること。【解決手段】 同一半導体基板上に電力用半導体素子部と、この電力用半導体素子の温度を検出する温度検出素子部が、絶縁物が充填されたトレンチ分離層によって、絶縁分離された半導体装置において、電力用半導体素子部上に形成された配線層が、温度検出素子部上まで、延設されるように構成する。

請求項（抜粋）：

同一半導体基板上に電力用半導体素子部と、該電力用半導体素子の温度を検出する温度検出素子部が、絶縁物が充填されたトレンチ分離層によって、絶縁分離された半導体装置において、前記電力用半導体素子部上に形成された配線層が、前記温度検出素子部上まで、延設されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  G01K 7/00 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/8249 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 27/04 F ,  G01K 7/00 A ,  H01L 21/76 N ,  H01L 27/06 321 J ,  H01L 29/78 301 W

Fターム (52件)：

2F056GA04 ,  5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA84 ,  5F032BB08 ,  5F032CA01 ,  5F032CA03 ,  5F032CA15 ,  5F032CA17 ,  5F032CA24 ,  5F032DA43 ,  5F032DA53 ,  5F038AV04 ,  5F038AV06 ,  5F038AZ08 ,  5F038CA08 ,  5F038CD05 ,  5F038CD10 ,  5F038CD18 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F040DB03 ,  5F040DB06 ,  5F040DC01 ,  5F040EB12 ,  5F040EC07 ,  5F040EC20 ,  5F040EF07 ,  5F040EF18 ,  5F040EJ03 ,  5F040EJ04 ,  5F040EK05 ,  5F040FC05 ,  5F048AA01 ,  5F048AA02 ,  5F048AC03 ,  5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BA12 ,  5F048BA16 ,  5F048BB05 ,  5F048BB19 ,  5F048BE03 ,  5F048BE09 ,  5F048BF02 ,  5F048BF03 ,  5F048BF16 ,  5F048BF17 ,  5F048BG14