特許

J-GLOBAL ID：200903063500536095

半導体光電陰極及びそれを用いた光検出器及びそれを用いた光検出装置

発明者： 新垣 実 ,  廣畑 徹 ,  菅 博文
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-274718
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093407
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】 波長分別性を持たせた半導体光電陰極およびこれを使用した光検出器、光検出装置を提供する。【解決手段】 本発明の半導体光電陰極は、第一導電型の基板101と、基板101上に形成された第一導電型の光フィルタ層103と、光フィルタ層103上に形成された第一導電型の電子ブロック層104と、電子ブロック層104上に形成された光吸収層105と、光吸収層105上に形成された第一導電型の電子放出層106と、電子放出層106上に形成された第二導電型のコンタクト層107と、コンタクト層107上に形成された第一の電極108と、基板上に形成された第二の電極109と、電子放出層106上の露出表面の仕事関数を低下させるための活性層110とを備え、電子ブロック層104のエネルギギャップが光フィルタ層103より大きく、光フィルタ層103のエネルギギャップを任意に変化させることにより特定の波長域のみに感度を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

入射光を吸収して光電子を放出する半導体光電陰極であって、第一導電型の基板と、前記基板上に形成された第一導電型の光フィルタ層と、前記光フィルタ層上に形成された第一導電型の電子ブロック層と、前記電子ブロック層上に形成された光吸収層と、前記光吸収層上に形成された第一導電型の電子放出層と、前記電子放出層がほぼ均一に分布して露出するように前記電子放出層上に形成された第二導電型のコンタクト層と、バイアスを印加するために前記コンタクト層に接して形成された第一の電極と、バイアスを印加するために前記基板に接して形成された第二の電極と、前記電子放出層上の露出部分表面の仕事関数を低下させるために当該露出部分表面に接して形成された活性層とを備え、前記電子ブロック層のエネルギギャップが前記光フィルタ層より大きく、前記光フィルタ層を構成する半導体材料またはその組成比を選択することでエネルギギャップを所定値に設定することにより特定の波長域のみに感度を有することを特徴とする半導体光電陰極。

IPC (3件)：

H01J 1/34 ,  H01J 40/06 ,  H01J 43/08

FI (3件)：

H01J 1/34 C ,  H01J 40/06 ,  H01J 43/08

Fターム (3件)：

5C035AA20 ,  5C035CC01 ,  5C035CC08