特許

J-GLOBAL ID：200903063509431245

相補型バイポーラ半導体装置及びその製造方法

発明者： 安齋 清志
出願人/特許権者： 日本プレシジョン・サーキッツ株式会社
代理人 (1件)： 松田 三夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-149641
公開番号（公開出願番号）：特開2005-332959
出願日： 2004年05月19日
公開日（公表日）： 2005年12月02日
要約：

【課題】製造工程数を削減した深溝素子分離構造を採用し、PN接合型素子分離方法に比べコレクタと基板との接合容量を削減するとともに、素子動作の高速化を図った、相補型バイポーラ半導体装置を提供する。【課題の解決手段】単結晶シリコンP型基板1上に、深いN型埋め込み領域2、浅いN型埋め込み領域3、浅いP型埋め込み領域4、N型のエピタキシャル層5をそれぞれ設け、浅いN型埋め込み領域3上に設けたNPN型バイポーラ素子を他の領域から分離する深溝素子分離構造体と、浅いP型埋め込み領域4上に設けたPNP型バイポーラ素子を他の領域から分離する深溝素子分離構造体とが、同じ溝掘り加工により形成され、その底部の深さは、NPN型バイポーラ素子に関しては単結晶シリコンP型基板1に達し、PNP型バイポーラ素子に関しては深いN型埋め込み領域2に達している。【選択図】 図7

請求項（抜粋）：

単結晶シリコンP型基板上に、深いN型埋め込み領域と、浅いN型埋め込み領域とを設け、前記深いN型埋め込み領域上には浅いP型埋め込み領域を設け、前記単結晶シリコンP型基板及び前記浅いN型とP型の各埋め込み領域を含む面に対してN型のエピタキシャル層を設け、前記浅いN型埋め込み領域上には縦型構造のNPN型バイポーラ素子を設け、前記浅いP型領域上には縦型構造のPNP型バイポーラ素子を設けてなる相補型バイポーラ半導体装置であって、 前記NPN型バイポーラ素子を他の領域から分離する深溝素子分離構造体と、前記PNP型バイポーラ素子を他の領域から分離する深溝素子分離構造体とが、同じ溝掘り加工により形成され、これら各深溝素子分離構造体の底部の深さは、前記NPN型バイポーラ素子に関しては前記浅いN型埋め込み領域を貫通して前記単結晶シリコンP型基板に達する一方、前記PNP型バイポーラ素子に関しては前記浅いP型埋め込み領域を貫通して前記深いN型埋め込み領域に達している ことを特徴とする相補型バイポーラ半導体装置。

IPC (5件)：

H01L21/8228 ,  H01L21/331 ,  H01L21/76 ,  H01L27/082 ,  H01L29/732

FI (4件)：

H01L27/08 101C ,  H01L29/72 P ,  H01L21/76 L ,  H01L21/76 S

Fターム (26件)：

5F003AP05 ,  5F003BA25 ,  5F003BA93 ,  5F003BA96 ,  5F003BC02 ,  5F003BC08 ,  5F003BJ03 ,  5F032AA35 ,  5F032AA45 ,  5F032AA47 ,  5F032AA77 ,  5F032AC01 ,  5F032BA01 ,  5F032CA01 ,  5F032CA18 ,  5F032CA20 ,  5F032DA23 ,  5F032DA53 ,  5F082AA25 ,  5F082BA05 ,  5F082BA07 ,  5F082BA12 ,  5F082BA41 ,  5F082BA47 ,  5F082BC04 ,  5F082EA33

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平02-252262号公報
  
• 特開昭61-242065号公報